mosfet可以说是最常见的晶体管，几乎不需要通过输入电流来控制负载电流。
mosfet多种多样，但是基本都能够分成两类，增强型和耗尽型。
然后这两种类型可以用作n沟道或者p沟道。
mosfet是平面晶体管，而胡正明发明的finfet架构则是3d的晶体管，3d晶体管能够克服晶体管本身可能遭遇的短沟道效应。
简单来说finfet能以更低的成本实现更高的性能指标。finfet的设计主要为突破25nm制程，解决mosfet由于制程缩小伴随的隧穿效应。
当然从finfet这个架构2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台积电作为首席专家，台积电在2002年12月才拿出第一个真正意义上的finfet晶体管。
而一直到了2012年商用22nm的finfet架构的晶体管才面世。
这是一个非常漫长的过程。
周新要讲的是mosfet架构的某一种优化。
带有些许的finfet架构思想在其中。
但是顺着这条路去思考，反而会走上弯路。
“......我们可以发现当一端没有电压时，通道会显示最大电导。当两端电压同为正或同为负的时候，通道的电导率会降低。
我们尝试关闭不导通的区域，让mosfet在该区域工作的时候，把欧姆区作为放大器。
在饱和区mosfet的i ds是恒定的，尽管v ds增加并且一旦v ds超过夹断电压v p的值就会发生。
在这种情况下，该设备将像一個闭合的开关一样工作，饱和的i ds值流过该开关。
因此，无论何时需要 mosfet执行开关操作，都会选择该工作区域......
这样一来我们就能够让mosfet在较低电压下以更高效率运行。”
周新的论文讲完后台下响起了礼貌的掌声。
因为周新的内容是纯粹的模型，也就是从理论层面讲述一个更加优秀的mosfet架构，而缺乏实验数据。
很多东西模型设计的很完美，不代表在实验室复刻出来真的有这么完美。
现实世界是无法像理论推演一样完美的。
不过单纯从内容上来说，周新的mosfet架构给了在场的研究人员们很多思考。
后续一些关于论文本身内容的提问，周新也回答的挑不出任何毛病。
在提问环节结束后，在场的掌声要真诚很多。
论文本身能够证明一部分，提问环节能够进一步验证周新自身的实力。
大家都是研究人员，财富和资产只是附加项，你本身在科研方面的实力才会让在场的研究人员们产生亲近的情绪。
这小子和我们是一路人。
“非常不错，如果你不是我的学生，我会以为你是来开过很多次的老手。
你表现得很成熟，以后多来几次基本上大家都熟悉你了，后续你想做点什么，认识这帮人对伱来说很有好处。
也许他们不会跟你回华国，但是你可以把研发中心设在硅谷或者欧罗巴。
这对你来说再简单不过了。”胡正明在台下等周新下来之后边鼓掌边用中文说道。
“后续我会带你挨个去认识，我觉得在集成电路领域研究方向比较有前景的一些科研人员。
你现在是不是还想回华国搞集成电路领域的创业？”胡正明接着问道。
人的观念是不停在变的。
周新在阿美利肯已经实现了财富自由，胡正明担心对方想法变了，所以特意多问了一句。
周新点头道：“是的，华国在集成电路领域太落后了。
我还是想回去培养一批人才。
根据我的观察，国外半导体领域的巨头们在华国成立的分公司很少。
即便有分公司，成立的分公司也是做一些组装、封测相对低端且没有技术含量的工作。”
“以英特尔为例
第五十七章 关键鹰